晶體管原理知識對于剛剛開始接觸電子電路設計的新人工程師來說，是非常重要的。薄膜晶體管作為一種非常常見的電子元件，在很多工業控制電路系統中都能看到它的身影。在今天的基礎課堂知識分享中，我們將會就這種晶體管的工作原理知識展開簡要介紹。

作為絕緣柵場效應晶體管的一個重要分支，薄膜晶體管的工作狀態其實跟單晶硅MOSFET沒有太大的區別，下面我們就以n溝MOSFET為例來說明其工作原理。這種MOSFET的物理結構如下圖所示。

n溝MOSFET物理結構圖

在了解了其物理結構后，接下來我們來具體分析與喜愛薄膜晶體管原理。這種晶體管的工作原理其實并不復雜，當柵極施以正電壓時，柵壓在柵絕緣層中產生電場，電力線由柵電極指向半導體表面，并在表面處產生感應電荷。隨著柵電壓增加，在晶體管的表面將由耗盡層轉變為電子積累層，形成反型層。當達到強反型時，源漏間加上電壓就會有載流子通過溝道。當源漏電壓很小時，導電溝道近似為一恒定電阻，漏電流隨源漏電壓增加而線性增大。而當源漏電壓很大時，它會對柵電壓產生影響，使得柵絕緣層中電場由源端到漏端逐漸減弱，半導體表面反型層中電子由源端到漏端逐漸減小，溝道電阻隨著源漏電壓增大而增加。漏電流增加變得緩慢，對應線性區向飽和區過渡。當源漏電壓增到一定程度，漏端反型層厚度減為零，電壓在增加，此時半導體器件進入飽和區。

以上就是本文針對薄膜晶體管原理知識，所進行的總結和年間要分析，希望能對各位新人工程師們的設計和學習有所幫助。 大功率電感廠家 |大電流電感工廠