現今的可調速驅動電路都采用變頻器來調整輸出電流，以滿足三相馬達的要求。變頻器的形狀大小通常會受到應用的限制。在許多情況下，電路板與馬達靠得很近，而馬達構造的高度也會受限。另外，所用高功率半導體器件的物理性質和所選封裝的形狀，也要求電路板上有足夠的位置空間。功率半導體開關工作期間產生的電壓、電流交疊會造成損耗，必須將其消除。雖然功率耗散問題可以通過加設散熱片而得到改善，但這也會限制半導體器件在電路板上的布局安排。

　　變頻器是達到EcoDesign節能要求的關鍵技術。美國電力科學研究院（Electric Power Research Institute）的研究表明，采用變頻器的馬達比無變頻器的馬達節能多達40%。無論是感應馬達、永磁同步馬達，還是無刷直流馬達，都可由變頻器為其產生正弦電流。為此，開關頻率必須比變頻器的可調輸出頻率高幾個數量級。而經脈沖寬度調制的輸出電壓則會施加在電感性負載上。因此，輸出電流與電壓的平均值成正比。開關頻率越高，對變頻器越有利;而驅動的扭矩波動越小，動態響應性能便更高，噪聲也會變得更低。這就要求開關速率快，而開關速率快意味著 di/dt和dv/dt的變化率通常都很高。因此，電路寄生就成為一個大問題，設計人員必須努力解決這個問題，才能滿足目前和未來的EMC標準要求。

　　成本是電路布局必須考慮的另一個約束因素。許多情況下，都采用雙面電路板。而電路板上的不同區域常常只能使用一種焊模壓電感公司接工藝。因此，就提高成本效益而言，表面貼裝半導體器件是越來越受歡迎的解決方案。

　　設計考慮因素

　　目前，大功率電感半導體器件（如IGBT和MOSFET）的發展趨勢是在提升性能的前提下不斷縮小芯片尺寸。減小芯片尺寸能減少器件的寄生電容，從而提高開關速率。因此，深入研究電路板上的關鍵回路越來越重要。圖1為電壓源變頻器（voltage source inverter，VSI）的兩種典型開關工作方式的簡化示意電路。在開關頻率受限的大電流應用中，IGBT是最受歡迎的器件。上圖所示為從高壓側 （HS）續流二極管到低壓側IGBT的換流。電流最初是在高壓側二極管和相應反相半橋的IGBT形成的續流通道中。

　　圖1 簡化的換向電路

　　一旦低壓側柵極驅動電路導通了IGBT，就會有短路電流經過高壓側二極管和低壓側IGBT。其結果是二極管電流降低，IGBT電流相應增加 （自然換相：1？2），在開關期間，電感性負載的電流可視為常數。因此，雜散部件與該通道無關。開關速率由低壓側IGBT的導通和半橋的雜散電感來決定。要實現從低壓側IGBT到高壓側續流二極管的反向換流，低壓側IGBT上的壓降必須大于直流總線電壓，以導通續流二極管。因此，IGBT在與二極管換流 （強制換相：2？1）之前必須能同時承受高電壓和大電流。

　　在圖1中，電壓源變頻器的臨界電流路徑被標為紅色陰影，其特征是di/dt變化率高，這個特征也表現在對應的柵極驅動電路上。要保證柵極驅動電路安全的工作，就要最大限度地減小雜散電感。尤其是高壓側柵極驅動電路，存在一個由低壓側二極管和電流通道上的阻性和感性壓降所引起的，且幅度超過 VS最小允許電壓的負壓，會導致電路工作異常。

　　其中一個解決方法是通過增加柵極電阻來降低開關速率，然而這卻會大幅增加開關損耗。在這情況下，便需要優化電路板布局，充分利用電壓源變頻器的整體性能。為了去除功率區和信號區的耦合，兩個區域的接地應當分開。柵極驅動器應盡可能靠近IGBT，且不要有任何回路或偏差。微控制器和柵極驅動之間的信號通道不是非常關鍵的。分立的IGBT管腳引線應盡可能短，以最大限度地減少寄生電容和電感。封裝在一起的6個IGBT和柵極驅動器的安排需要周密考慮。此外，散熱片上的器件需要配備適當的絕緣片。許多情況下，電路板的邊沿都需要有大塊的散熱片。

　　為了克服插件電感制造商以上約束，最好采用智能功率模塊（intelligen模壓電感廠家t power module （IPM），也稱為Smart Power Module（SPM®））。圖2所示為一個典型的全封閉模塊，它包含一個完整的三相電壓源變頻器，以及相應的柵極驅動器和保護電路。采用這種模塊比分立 大功率電感廠家 |大電流電感工廠