真空開關(guān)觸頭結(jié)構(gòu)與觸頭材料的改進(jìn)
真空開關(guān)管結(jié)構(gòu)中最重要的是觸頭結(jié)構(gòu)和觸央材料,它們不但影響真空開關(guān)的髕孤,滅弧性能,而且影響開關(guān)管的開斷容量.
橫向磁場的應(yīng)用蹙開關(guān)籬開斷能力大天避了一步.縱向磁場的發(fā)明與應(yīng)用,更綻開關(guān)管選到一個(gè)新的水平,現(xiàn)在許多離電壓大吝量的管子都使用縱_匈謹(jǐn)場,觸料均進(jìn)步恃即是低截流材辯的研’使真空開關(guān)用于感性和容性負(fù)荷的過電壓問題得到解決.
在屏菠罩.波紋管等言面的研究結(jié)果,使開熒管的耐壓水平和機(jī)械壽命大大提高.在工藝方面,直流老煉工藝,使管子的耐壓水平提高,管內(nèi)放氣量減少.一次封排工藝使開關(guān)管的成品率、可靠性提高,同時(shí)縮短了生產(chǎn)流程,降低了成本,使真空開關(guān)更具有競爭能力.
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功率電感:MOSFET驅(qū)動(dòng)器和布局(三) 布局考慮 最大可允許的6V柵極電壓僅比推薦的5V驅(qū)動(dòng)電壓高1V。這個(gè)限制要求精確的柵極驅(qū)動(dòng)電源以及eGaN器件和柵極驅(qū)動(dòng)器之間的有限功率電感,因?yàn)殡姼袝?huì)造成柵極上出現(xiàn)電壓過沖。雖然一些過沖是可以接受
求問labview與串行通信漏碼的問題通過單片機(jī)不斷往labview發(fā)送兩個(gè)四位數(shù)據(jù),每個(gè)數(shù)都是分兩次發(fā)送的,可labview中接受到的數(shù)據(jù)中,經(jīng)常出現(xiàn)漏碼的情況,求問高手怎么解決。如發(fā)送十進(jìn)制0117與2971,labview顯示如圖
[穩(wěn)壓電源]三端穩(wěn)壓HT7333電壓輸出不穩(wěn)最近搞低功耗的東西。
單片機(jī)一會(huì)兒,一會(huì)兒關(guān)。
開時(shí)整個(gè)電路30ma左右,休眠時(shí)5ua左右,每580ms開一次,開時(shí)間10ms。
3.3V就出現(xiàn)很大的紋波,有500mv。
全關(guān)時(shí)就3.3V就很準(zhǔn)。
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